Bolachas principais do manequim do teste da bolacha de silicone do semicondutor de 12 polegadas
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Número do modelo: | Bolacha de Silício |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 25 peças |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | Cassete / Frasco, coloque em uma caixa com espuma PE. |
| Tempo de entrega: | 1 - 4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 100000 peças/mês |
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Informação detalhada |
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| Produto: | Bolacha de Silício | Diâmetro: | 12 polegadas, Φ300mm |
|---|---|---|---|
| Espessura: | 0,5 mm - 1,0 mm | Orientação: | <100> <110>, <111> |
| Resistividade: | 0,001 - 300 ohms/cm | Tipo: | Tipo P, tipo N, Intrínseco |
| dopante: | B, Ph, como ou não dopado | Pacote: | Cassete |
| Destacar: | Bolacha de semicondutor de 12 polegadas,Bolacha de silicone do manequim do teste,bolacha de silicone de 0.5mm |
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Descrição de produto
bolachas principais do manequim do teste da bolacha de silicone de 12 polegadas
A bolacha de silicone é um material usado produzindo os semicondutores, que podem ser encontrados em todos os tipos de dispositivos eletrónicos que melhoram as vidas dos povos. O silicone vem em segundo como o elemento o mais comum no universo; é usado na maior parte como um semicondutor na tecnologia e no setor eletrônico.
Há uns vários métodos usados na fabricação do silicone que conta o método horizontal de Bridgeman, o método horizontal do gelo do inclinação, o gelo vertical do inclinação, o método vertical de Bridgeman e o Czochralski que puxa o método.
A bolacha de silicone é o elemento principal nos circuitos integrados. Postos simplesmente, os circuitos integrados são um composto de uma variedade de elementos eletrônicos que são reunidos para executar uma função particular.
O silicone é a plataforma chave para dispositivos do semicondutor. Uma bolacha é apenas mas uma fatia fina do material do semicondutor em que atua como um substrato para os dispositivos microeletrónicos cabidos e acima da bolacha.
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SEMI padrão |
2" (50.8mm) |
3" (76.2mm) |
4" (100mm) |
5" (125mm) |
6" (150mm) |
8" (200mm) |
12" (300mm) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Diâmetro |
50,8 ± 0.38mm | 76,2 ± 0.63mm | 100 ± 0.5mm | 125 ± 0.5mm | 150 ± 0.2mm | 200 ± 0.2mm | 300 ± 0.2mm |
|
Espessura |
279 ± 25µm | 381 ± 25µm | 525 µm do ± 20 ou 625 ± 20µm |
625 ± 20µm | 675 ± 20µm ou 625 ± 15µm |
725 ± 20µm | 775 ± 20µm |
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Tipo |
P, N ou intrínseco |
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Entorpecente |
B, pH, como ou Undoped |
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Orientação |
<100> <111>, <110> |
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Rsistivity |
0,001 – 300 ohm/cm |
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Comprimento liso preliminar |
15,88 ± 1.65mm | 22,22 ± 3.17mm | 32,5 ± 2.5mm | 42,5 ± 2.5mm | 57,5 ± 2.5mm | Entalhe | Entalhe |
|
Comprimento liso secundário |
8 ± 1.65mm | 11,18 ± 1.52mm | 18 ± 2.0mm | 27,5 ± 2.5mm | 37,5 ± 2.5mm | NA | NA |
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Revestimento de superfície |
SSP, DSP, gravados, ou dobrados | ||||||
Óxido térmico em ambos os lados da bolacha
Espessura de filme: 100Å – 10µm em ambos os lados
Tolerância da espessura de filme: Alvo ±5%
Esforço do filme: - MPa 320±50 compressivo
Espessura de filme: 100Å – 10,000Å em ambos os lados
Tolerância da espessura de filme: Alvo ±5%
Esforço do filme: MPa -320±50 compressivo
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Verificação de aceitação
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