O plano de 2 polegadas C lustrou Sapphire Wafers Crystal Substrates

Descrição de produto

O plano de Sapphire Crystal C de 2 polegadas lustrou Sapphire Wafers Sapphire Substrates

Especificação:
Único cristal Al2O3 99,999%
Orientação: R-linha central 0.5°

Diâmetro: 50.8±0.1mm

Espessura: 430±15um ou 330±15um

Plano preliminar: 16±1mm

Do plano da orientação: Fora C-plano da linha central 45°±0.1° de R a de C (0001)

Aspereza de superfície de Frontside: Ra<0.2nm

Aspereza de superfície da parte traseira: 0.8~1.2um (ou lado dobro lustrado, lado Ra<0.2nm)

TTV: CURVA de <10um: - URDIDURA 10~0um: <10um

Laser Mark Series No. por necessidades

Pacote: os recipientes Vácuo-selados com nitrogênio aterram em um ambiente da classe 100

Limpeza: Contaminação visível livre

1. A safira tem um transmitância ótico alto, assim que é amplamente utilizada como o material dielétrico do tubo microeletrónico, o elemento ultrassônico da condução, a cavidade do laser do medidor de ondas, e outros elementos óticos, como materiais da janela para os dispositivos, os veículos de espaço, os lasers da alta intensidade e as comunicações óticas militares infravermelhos.

2. A safira tem a rigidez alta, temperatura de trabalho de grande resistência, alta, resistência de abrasão, características de resistência da corrosão, assim carcaça da safira é usada frequentemente em ambientes ásperos, tais como o calibre de água da caldeira (resistência de alta temperatura), o varredor de código de barras da mercadoria, o rolamento, e a outra fabricação da precisão (resistência de desgaste), o carvão, o gás, sensores bons da detecção e janelas do detector (anticorrosivos).

3. A safira tem as características da isolação elétrica, da transparência, da boa condutibilidade térmica, e da rigidez alta, assim que pode ser usada como o material da carcaça dos circuitos integrados, tais como o diodo emissor de luz e circuitos microeletrónicos, circuito integrado da ultra-alto-velocidade.

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