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O plano de C lustrou a polegada 0001 430um de Sapphire Single Crystal Wafer 2
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001 |
| Número do modelo: | Safira (Al2O3) |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 partes |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | Gaveta, frasco, pacote do filme |
| Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 10000 partes/mês |
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Informação detalhada |
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| Material: | Safira | Crescimento: | Método de Kyropoulos |
|---|---|---|---|
| Ponto de derretimento: | 2040 graus de C | Condutibilidade térmica: | 27,21 com (m x K) em 300 K |
| CTE: | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela); 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K | Dureza: | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
| Capacidade de calor específico: | 419 j (quilograma x K) | Constante dielétrica: | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
| Destacar: | Sapphire Single Crystal Wafer lustrada,Plano único Crystal Wafer de C,2 polegadas Sapphire Substrate Wafer |
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Descrição de produto
2 bolacha do plano 0001 430um Sapphire Single Crystal Wafers Polished da polegada C
A safira é um único cristal da alumina e é o material segundo-o mais duro na natureza, após o diamante. A safira tem o bom transmitância claro, de grande resistência, resistência da colisão, veste a resistência, resistência de corrosão e a resistência do alto temperatura e a de alta pressão, biocompatibility, é um material ideal da carcaça para a produção dos dispositivos optoelectronic do semicondutor, as propriedades elétricas da safira para fazê-la transformar-se o material da carcaça para a produção do diodo emissor de luz branco e azul.
Espessura a longo prazo ≧0.1mm da produção da nossa empresa, forma bolacha da safira elevada precisão do tamanho ≧Φ2 da”. Além do que o Φ2 convencional “, Φ4”, Φ6 “, Φ8”, outros tamanhos pode ser personalizado, contacta por favor nossa equipe de vendas.
| Artigo | C-plano de 2-polegada (0001) 430μm Sapphire Wafers | |
| Crystal Materials | 99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline | |
| Categoria | Principal, Epi-pronto | |
| Orientação de superfície | C-plano (0001) | |
| fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1° | ||
| Diâmetro | 50,8 milímetro +/- 0,1 milímetros | |
| Espessura | μm 430 +/- μm 25 | |
| Orientação lisa preliminar | Um-plano (11-20) +/- 0.2° | |
| Comprimento liso preliminar | 16,0 milímetro +/- 1,0 milímetros | |
| Único lateral lustrado | Front Surface | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
| (SSP) | Superfície traseira | Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2 |
| Lateral dobro lustrado | Front Surface | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
| (DSP) | Superfície traseira | Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
| TTV | < 10=""> | |
| CURVA | < 10=""> | |
| URDIDURA | < 10=""> | |
| Limpeza/que empacota | Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo, | |
| 25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte. | ||
| PROPRIEDADES ÓTICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
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Escala de transmissão |
0,17 a 5,5 mícrons |
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R.I. |
1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 mícrons |
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Perda de reflexão |
em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
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Posicione da absorção |
0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 mícrons |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 em 5,4 mícrons |
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dn/dm = 0 |
1,5 mícrons |
| PROPRIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
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Densidade |
3,97 g/cm3 |
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Ponto de derretimento |
2040 graus de C |
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Condutibilidade térmica |
27,21 com (m x K) em 300 K |
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Expansão térmica |
5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K |
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Dureza |
Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
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Capacidade de calor específico |
419 j (quilograma x K) |
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Constante dielétrica |
11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
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Módulo Young (e) |
335 GPa |
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Módulo da tesoura (g) |
148,1 GPa |
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Módulo de maioria (K) |
240 GPa |
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Coeficientes elásticos |
C11=496C12=164C13=115 |
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Limite elástico aparente |
MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada) |
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Relação de Poisson |
0,25 |
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Orientação |
R-plano, C-plano, Um-plano, M-plano ou uma orientação especificada |
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Tolerância da orientação |
± 0.3° |
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Diâmetro |
2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outro |
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Tolerância do diâmetro |
0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas |
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Espessura |
0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou outro; |
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Tolerância da espessura |
25μm |
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Comprimento liso preliminar |
16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas |
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Orientação lisa preliminar |
± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0); ± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2° |
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TTV |
≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
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CURVA |
≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
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Front Surface |
Epi-lustrado (Ra< 0=""> |
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Superfície traseira |
Terra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-lustrado |
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Empacotamento |
Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100 |