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Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001 |
| Número do modelo: | Safira (Al2O3) |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 partes |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | Gaveta, frasco, pacote do filme |
| Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 10000 partes/mês |
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Informação detalhada |
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| Material: | Sapphire Wafer | Método do crescimento: | Método de Kyropoulos |
|---|---|---|---|
| Ponto de derretimento: | °C 2040 | Condutibilidade térmica: | 27,21 com (m x K) em 300 K |
| CTE: | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K | Dureza: | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
| Capacidade de calor específico: | 419 j (quilograma x K) | Const dielétrico.: | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
| Destacar: | Sapphire Polished Wafer 3 Inch,High Resistance Sapphire Polished Wafer,C Plane Optical Crystal Sapphire Wafer |
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Descrição de produto
Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas
A safira é um único cristal da alumina e é o material segundo-o mais duro na natureza, após o diamante. A safira tem o bom transmitância claro, de grande resistência, resistência da colisão, veste a resistência, resistência de corrosão e a resistência do alto temperatura e a de alta pressão, biocompatibility, é um material ideal da carcaça para a produção dos dispositivos optoelectronic do semicondutor, as propriedades elétricas da safira para fazê-la transformar-se o material da carcaça para a produção do diodo emissor de luz branco e azul.
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Artigo |
C-plano 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline |
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Categoria |
Principal, Epi-pronto |
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Orientação de superfície |
C-plano (0001) |
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fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1° |
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Diâmetro |
76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros |
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Espessura |
μm 500 +/- μm 25 |
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Orientação lisa preliminar |
Um-plano (11-20) +/- 0.2° |
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Comprimento liso preliminar |
22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros |
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Único lateral lustrado |
Front Surface |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Superfície traseira |
Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2 |
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Lateral dobro lustrado |
Front Surface |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Superfície traseira |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 15=""> |
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CURVA |
< 15=""> |
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URDIDURA |
< 15=""> |
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Limpeza/que empacota |
Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo, |
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25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte. |
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Artigo |
C-plano 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline |
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Categoria |
Principal, Epi-pronto |
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Orientação de superfície |
C-plano (0001) |
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fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1° |
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Diâmetro |
100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros |
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Espessura |
μm 650 +/- μm 25 |
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Orientação lisa preliminar |
Um-plano (11-20) +/- 0.2° |
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Comprimento liso preliminar |
30,0 milímetro +/- 1,0 milímetros |
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Único lateral lustrado |
Front Surface |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Superfície traseira |
Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2 |
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Lateral dobro lustrado |
Front Surface |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Superfície traseira |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 20=""> |
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CURVA |
< 20=""> |
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URDIDURA |
< 20=""> |
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Limpeza/que empacota |
Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo, |
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25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte. |
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Artigo |
C-plano 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline |
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Categoria |
Principal, Epi-pronto |
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Orientação de superfície |
C-plano (0001) |
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fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1° |
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Diâmetro |
150,0 milímetro +/- 0,2 milímetros |
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Espessura |
μm 1300 +/- μm 25 |
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Orientação lisa preliminar |
Um-plano (11-20) +/- 0.2° |
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Comprimento liso preliminar |
47,0 milímetro +/- 1,0 milímetros |
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Único lateral lustrado |
Front Surface |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Superfície traseira |
Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2 |
|
Lateral dobro lustrado |
Front Surface |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
|
(DSP) |
Superfície traseira |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 25=""> |
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CURVA |
< 25=""> |
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URDIDURA |
< 25=""> |
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Limpeza/que empacota |
Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo, |
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|
25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte. |
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Verificação de aceitação
1. O produto é frágil. Nós embalamo-lo adequadamente e etiquetamo-lo frágil. Nós entregamos através das empresas expressas domésticas e internacionais excelentes para assegurar a qualidade do transporte.
2. Após ter recebido os bens, segure por favor com cuidado e para verificar se a caixa exterior esteja nas boas condições. Abra com cuidado a caixa exterior e verifique se as caixas de embalagem sejam em alinhamento. Tome uma imagem antes que você os remova.
3. Abra por favor o pacote do vácuo em um quarto desinfetado quando os produtos devem ser aplicada.
4. Se os produtos são encontrados danificados durante o correio, tome por favor uma imagem ou grave um vídeo imediatamente. Não tome os produtos danificados fora da caixa de empacotamento! Contacte-nos imediatamente e nós resolveremos o problema bem.