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Diâmetro 76.2mm Sapphire Substrate Optical Crystal Windows de 3 polegadas
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | CHINA |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001 |
| Número do modelo: | Safira (Al2O3) |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 partes |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | Gaveta, frasco, pacote do filme |
| Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 10000 partes/mês |
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Informação detalhada |
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| Material: | Bolacha Al2O3 | Pureza: | 99,999% |
|---|---|---|---|
| Ponto de derretimento: | °C 2040 | Condutibilidade térmica: | 27,21 com (m x K) em 300 K |
| Diâmetro: | 3 polegadas, 76.2mm | Dureza: | 9,0 Mohs |
| Capacidade de calor específico: | 419 j (quilograma x K) | Constante dielétrica: | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
| Destacar: | Sapphire Substrate Optical Crystal Windows,3 polegadas Sapphire Substrate Wafer,Diâmetro 76.2mm Sapphire Wafer |
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Descrição de produto
Diâmetro 76.2mm Sapphire Substrate Optical Crystal Windows de 3 polegadas
A única safira de cristal Al2O3 possui uma combinação original de propriedades óticas, físicas e químicas excelentes. A mais dura dos cristais do óxido, safira Al2O3 retém seu de grande resistência em altas temperaturas, tem boas propriedades térmicas e a transparência excelente. O sistema ótico de Sapphire Al 2O3 é quimicamente resistente a muitos ácidos e alcaloides em temperaturas até 1000 graus de C assim como ao HF abaixo de 300 graus de C. Estas propriedades incentivam seu uso largo do sistema ótico de Sapphire Al 2O3 nos ambientes hostis onde a transmissão ótica na escala do visível ao infravermelho próximo é exigida.
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Artigo |
C-plano 3-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers |
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Crystal Materials |
99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline |
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Categoria |
Principal, Epi-pronto |
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Orientação de superfície |
C-plano (0001) |
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fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1° |
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Diâmetro |
76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros |
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Espessura |
μm 650 +/- μm 25 |
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Orientação lisa preliminar |
Um-plano (11-20) +/- 0.2° |
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Comprimento liso preliminar |
22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros |
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Único lateral lustrado |
Front Surface |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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(SSP) |
Superfície traseira |
Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2 |
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Lateral dobro lustrado |
Front Surface |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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(DSP) |
Superfície traseira |
Epi-lustrado, Ra < 0=""> |
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TTV |
< 20=""> |
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CURVA |
< 20=""> |
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URDIDURA |
< 20=""> |
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Limpeza/que empacota |
Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo, único empacotamento da parte. |
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| PROPRIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
| Densidade | 3,97 g/cm3 |
| Ponto de derretimento | 2040 graus de C |
| Condutibilidade térmica | 27,21 com (m x K) em 300 K |
| Expansão térmica | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K |
| Dureza | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
| Capacidade de calor específico | 419 j (quilograma x K) |
| Constante dielétrica | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
| Módulo Young (e) | 335 GPa |
| Módulo da tesoura (g) | 148,1 GPa |
| Módulo de maioria (K) | 240 GPa |
| Coeficientes elásticos | C11=496C12=164C13=115 C33=498C44=148 |
| Limite elástico aparente | MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada) |
| Relação de Poisson | 0,25 |
Verificação de aceitação