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4 bolacha da polegada LNOI que consegue a integração fotónica compacta
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | CHINA |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Número do modelo: | Bolacha de LNOI |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 25 unidades |
|---|---|
| Preço: | $2000/pc |
| Detalhes da embalagem: | O pacote do frasco da gaveta, vácuo selou |
| Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 50000 PCS/Month |
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Informação detalhada |
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| Produto: | LiNbO3 no isolador | Diâmetro: | 4 polegadas, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Camada superior: | Niobato De Lítio | Espessura superior: | 300~600nm |
| Insolação: | Óxido SiO2 térmico | Espessura da insolação: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Carcaça: | silicone | Aplicação: | Medidores de ondas óticos e Microwaveguides |
| Destacar: | Bolacha piezoelétrica de LNOI,4 bolacha da polegada LNOI,300nm LiNbO3 no isolador |
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Descrição de produto
Conseguindo a integração fotónica compacta com as bolachas de 4-Inch LNOI
LNOI representa o nióbito do lítio no isolador, que é uma tecnologia especializada da carcaça usada no campo do photonics integrado. As carcaças de LNOI são fabricadas transferindo uma camada fina de cristal em uma carcaça de isolamento, tipicamente dióxido de silicone (SiO2) ou nitreto do nióbito do lítio (LiNbO3) de silicone (Si3N4). Esta tecnologia oferece vantagens originais para o desenvolvimento de dispositivos fotónicos compactos e de capacidade elevada.
A fabricação de carcaças de LNOI envolve ligar uma camada fina de LiNbO3 em uma camada de isolamento usando técnicas como a ligação ou o íon-corte da bolacha. Isto conduz a uma estrutura onde LiNbO3 seja suspendido em uma carcaça não-condutora, fornecendo o isolamento elétrico e reduzindo as perdas óticas do medidor de ondas.
Aplicações de LNOI:
- Photonics integrado
- Uma comunicação ótica
- Detecção e metrologia
- Sistema ótico do quantum
| Bolacha de LNOI | |||
| Estrutura | LN/SiO2/si | LTV/PLTV | < 1="">) do milímetro2do ∗ 5/95% |
| Diâmetro | ± Φ100 0,2 milímetros | Borda Exclution | 5 milímetros |
| Espessura | 500 μm do ± 20 | Curva | Dentro do μm 50 |
| Comprimento liso preliminar | ± 47,5 2 milímetros ± 57,5 2 milímetros |
Aparamento da borda | ± 2 0,5 milímetros |
| Chanfradura da bolacha | R do tipo | Ambiental | Rohs 2,0 |
| Camada superior de LN | |||
| Espessura média | 400/600±10 nanômetro | Uniformidade | < 40nm=""> |
| Índice da refração | nenhuns > 2,2800, ne < 2=""> | Orientação | ± 0.3° da linha central de X |
| Categoria | Ótico | Ra de superfície | < 0=""> |
| Defeitos | >1mm nenhuns; ≦1milímetrodentrode300totais |
Delaminação | Nenhum |
| Risco | >1cm nenhuns; ≦1cmdentrode3 |
Plano preliminar | Perpendicular ao ± 1° da linha central de +Y |
| Isolamento SiO2 camadas | |||
| Espessura média | 2000nm ± 100nm do ± 50nm 4700nm do ± 15nm 3000nm | Uniformidade | <> |
| Fabuloso. Método | Óxido térmico | Índice da refração | 1.45-1.47 @ 633 nanômetro |
| Carcaça | |||
| Material | Si | Orientação | <100> ± 1° |
| Orientação lisa preliminar | <110> ± 1° | Resistividade | > kΩ 10·cm |
| Contaminação da parte traseira | Nenhuma mancha visível | Parte traseira | Gravura em àgua forte |
