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Destravando o Tantalate do lítio no isolador (LTOI) para aplicações fotónicas avançadas
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | CHINA |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Número do modelo: | Bolacha de LNOI |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 25 unidades |
|---|---|
| Preço: | $2000/pc |
| Detalhes da embalagem: | O pacote do frasco da gaveta, vácuo selou |
| Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 50000 PCS/Month |
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Informação detalhada |
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| Produto: | LiTaO3 no isolador | Diâmetro: | 4 polegadas, Φ100mm |
|---|---|---|---|
| Camada superior: | Tantalate do lítio | Espessura superior: | 300~600nm |
| Insolação: | Óxido SiO2 térmico | Espessura da insolação: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| Carcaça: | bolacha de silicone | Aplicação: | Medidores de ondas óticos e Microwaveguides |
| Destacar: | Tantalate fotónico do lítio no isolador,Bolacha piezoelétrica de LTOI |
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Descrição de produto
Destravando o potencial do Tantalate do lítio no isolador (LTOI) para aplicações fotónicas avançadas
LTOI representa o Tantalate do lítio no isolador, é uma tecnologia especializada da carcaça usada no campo do photonics integrado. Envolve transferência de uma camada fina de cristal em uma carcaça de isolamento, tipicamente dióxido de silicone (SiO2) ou nitreto do tantalate do lítio (LiTaO3) de silicone (Si3N4). As carcaças de LTOI oferecem vantagens originais para o desenvolvimento de dispositivos fotónicos compactos e de capacidade elevada.
As carcaças de LTOI são criadas com um processo de ligamento onde uma camada fina de cristal do tantalate do lítio seja transferida em uma carcaça de isolamento. Este processo pode ser conseguido com as várias técnicas, incluindo a ligação da bolacha ou o íon-corte, assegurando uma ligação forte entre as camadas.
As carcaças de LTOI oferecem vantagens originais para aplicações fotónicas avançadas. Sua utilização em moduladores eletro-óticos, em medidores de ondas, em dispositivos óticos não-lineares, em sensores, em photonics do quantum, e em circuitos fotónicos integrados demonstra a escala de aplicações larga e o potencial para empurrar os limites da tecnologia integrada do photonics.
| Bolacha de LTOI | |||
| Estrutura | LiTaO3/SiO2/si | LTV/PLTV | < 1="">) do milímetro2do ∗ 5/95% |
| Diâmetro | ± Φ100 0,2 milímetros | Borda Exclution | 5 milímetros |
| Espessura | 500 μm do ± 20 | Curva | Dentro do μm 50 |
| Comprimento liso preliminar | ± 47,5 2 milímetros ± 57,5 2 milímetros |
Aparamento da borda | ± 2 0,5 milímetros |
| Chanfradura da bolacha | R do tipo | Ambiental | Rohs 2,0 |
| LT superior Layer | |||
| Espessura média | 400/600±10 nanômetro | Uniformidade | < 40nm=""> |
| Índice da refração | nenhuns > 2,2800, ne < 2=""> | Orientação | ± 0.3° da linha central de Z |
| Categoria | Ótico | Ra de superfície | < 0=""> |
| Defeitos | >1mm nenhuns; ≦1milímetrodentrode300totais |
Delaminação | Nenhum |
| Risco | >1cm nenhuns; ≦1cmdentrode3 |
Plano preliminar | Perpendicular ao ± 1° da linha central de +Y |
| Isolamento SiO2 camadas | |||
| Espessura média | 2000nm ± 100nm do ± 50nm 4700nm do ± 15nm 3000nm | Uniformidade | <> |
| Fabuloso. Método | Óxido térmico | Índice da refração | 1.45-1.47 @ 633 nanômetro |
| Carcaça | |||
| Material | Si | Orientação | <100> ± 1° |
| Orientação lisa preliminar | <110> ± 1° | Resistividade | > kΩ 10·cm |
| Contaminação da parte traseira | Nenhuma mancha visível | Parte traseira | Gravura em àgua forte |
