Conductividade térmica C-plano 0001 Sapphire Wafer Al2O3 Substrato para janela infravermelha
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | China |
Marca: | CSIMC |
Certificação: | ISO:9001 |
Número do modelo: | Safira (Al2O3) |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 5 peças |
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Preço: | Negociável |
Detalhes da embalagem: | Gaveta, frasco, pacote do filme |
Tempo de entrega: | 1 a 4 semanas |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 10000 peças/mês |
Informação detalhada |
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Material: | Sapphire Wafer | Purificação: | 99,999% |
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Ponto de fusão: | °C 2040 | Diâmetro: | Dois, três, quatro. |
Expansão térmica: | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K | Dureza: | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
Capacidade de calor específico: | 419 j (quilograma x K) | Constante dielétrica: | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
Destacar: | Wafer de safira de janela infravermelha,C-plane 0001 Wafer de safira,Wafer de safira de substrato Al2O3 |
Descrição de produto
Conductividade térmica C-plano 0001 Sapphire Wafer Al2O3 Substrato para janela infravermelha
As nossas bolinhas de safira são meticulosamente fabricadas a partir da forma mais pura de cristal de safira, conhecida pela sua dureza excepcional.durabilidade, e clareza óptica.
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PROPRIETADES ÓPTICAS do SAFIRO Al2O3 | |
Faixa de transmissão |
0.17 a 5,5 micrões |
Índice de refração |
1.75449 (o) 1.74663 (e) a 1,06 microns |
Perda de reflexão |
a 1,06 micrões (2 superfícies) para raios-o - 11,7%; para raios-e - 14,2% |
Índice de Absorção |
0.3 x 10-3 cm-1 a 2,4 microns |
DN/dT |
13.7 x 10-6 a 5,4 microns |
dn/dm = 0 |
1.5 micrões |
PROPRIETADES FÍSICAS do SAFIRO Al2O3 | |
Densidade |
30,97 g/cm3 |
Ponto de fusão |
2040 graus C |
Conductividade térmica |
27.21 W/ ((m x K) a 300 K |
Expansão térmica |
5.6 x 10-6/K (eixo C paralelo) e 5,0 (eixo C perpendicular) x 10-6/K |
Dureza |
Knoop 2000 kg/mm2com um retorno de 2000 g |
Capacidade térmica específica |
419 J/kg x K) |
Constante dielétrica |
11.5 (eixo C paralelo) 9.4 (eixo C perpendicular) a 1 MHz |
Modulo de Young (E) |
335 GPa |
Modulo de cisalhamento (G) |
148.1 GPa |
Módulo de massa (K) |
240 GPa |
Coeficientes elásticos |
C11= 496 C12=164 C13= 115 |
Limite de elasticidade aparente |
275 MPa (40.000 psi) |
Relação de peixe |
0.25 |
Orientação |
Plano R, plano C, plano A, plano M ou uma orientação especificada |
Orientação Tolerância |
± 0,3° |
Diâmetro |
2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outros |
Tolerância de diâmetro |
0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas |
Espessura |
0.25 mm, 0,33 mm, 0,43 mm, 0,65 mm, 1 mm ou outros; |
Tolerância de espessura |
25 μm |
Duração plana primária |
16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas |
Orientação plana primária |
Plano A (1 1-2 0) ± 0,2°; plano C (0 0-0 1 ) ± 0,2°, eixo C projetado 45 +/- 2° |
Verificação da aceitação
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