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Fabricação de wafer piezoelétrico de última geração para dispositivos MEMS e SAW Capacidades avançadas de processamento para resultados
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | CQTGROUP |
| Certificação: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Número do modelo: | Serviços de fundição de chips |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 PCS |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | O pacote do frasco da gaveta, vácuo selou |
| Tempo de entrega: | 1 a 4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 10000 PC/mês |
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Informação detalhada |
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| Produto: | Serviços de fundição de chips | Materiais: | LiNbO3, LiTaO3, Cristal Quartz, Vidro, Safira etc. |
|---|---|---|---|
| Serviço: | Litografia, Gravação, Revestimento, Ligação | Litografia: | Litografia de Proximidade EBL o Litografia Stepper |
| Equipamento de apoio: | Máquinas de moagem/afinamento/polido/ etc. | Ligação:: | Anódico, Eutético, Adesivo, Fios de Ligação |
| Destacar: | Capacidades avançadas de processamento Wafer piezoelétrico,Wafer piezoelétrico MEMS,Dispositivos de visualização |
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Descrição de produto
Fabricação de placas piezoelétricas de última geração para dispositivos MEMS e SAW Capacidades avançadas de processamento para resultados
Somos especializados em fornecer serviços de fundição de chips abrangentes, atendendo a clientes que exigem processamento e fabricação de wafer de alta qualidade.,Nós fornecemos soluções personalizadas que atendem às suas necessidades exatas.Niobato de lítio (LiNbO)₃),Tantalato de lítio (LiTaO)₃),Quartzo de cristal único,Vidro de sílica fundido,Vidro de borosilicato (BF33),Vidro de cal,Orifícios de silício, eSafiras, garantindo versatilidade para diversas aplicações.
Portfólio de Materiais Avançados de Wafer
A nossa experiência abrange substratos padrão e exóticos:
- Niobato de lítio (LiNbO3, wafers de 4"-6")
- Tantalato de lítio (LiTaO3, Z-cut/Y-cut)
- Quartzo de cristal único (AT-cut/SC-cut)
- Silício fundido (equivalente Corning 7980)
- Vidro borosilicato (BF33/Schott Borofloat®)
- Silício (orientação 100/111, máximo 200 mm)
- Sapphire (C-plane/R-plane, 2" ′′ 8")
Tecnologias de Fabricação de Núcleo
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Litografia.
- Litografia por feixe de elétrons (EBL, resolução de 10 nm)
- Litografia por passo (i-line, 365 nm)
- Alignador de máscara de proximidade (precisão de alinhamento de 5 μm)
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Gravura.
- ICP-RIE (taxa de gravação de SiO2/Si 500nm/min)
- DRIE (ratio de aspecto 30:1, processo Bosch)
- Gravação de feixe iónico (uniformidade angular < ± 2°)
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Deposição em filme fino.
- ALD (Al2O3/HfO2, uniformidade < 1 nm)
- PECVD (SiNx/SiO2, controlado por tensão)
- "Técnicas de detecção de radiação" (1)
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Ligação de Wafer
- Ligação anódica (vidro-si, 400°C/1kV)
- Eutectic Bonding (Au-Si, 363°C)
- Aperfeiçoamento por adesivo (BCB/SU-8, < 5μm de curvatura)
Infra-estrutura de apoio aos processos
- Moagem de precisão (TTV < 2μm)
- Poluição por CMP (Ra < 0,5 nm)
- Classificação em conformidade com o anexo I do Regulamento (CE) n.o 765/2008
- Metrologia 3D (interferometria de luz branca)
