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Wafers LNOI de 4 polegadas e 6 polegadas para comunicação óptica compacta e de alto desempenho
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | CQT |
| Certificação: | ISO:9001, ISO:14001 |
| Número do modelo: | Bolacha de LNOI |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 10 Pcs |
|---|---|
| Preço: | $2000/pc |
| Detalhes da embalagem: | O pacote do frasco da gaveta, vácuo selou |
| Tempo de entrega: | 1 a 4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 50000 PCes/mês |
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Informação detalhada |
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| Produto: | LiNbO3 no isolador | Diâmetro: | 4 polegadas, 6 polegadas |
|---|---|---|---|
| Camada superior: | Niobato De Lítio | Espessura superior: | 300~600nm |
| Insolação: | Óxido SiO2 térmico | Espessura da insolação: | 2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm |
| a camada de suporte: | Sílica fundida | Aplicação: | Medidores de ondas óticos e Microwaveguides |
| Destacar: | Wafers de 6 polegadas,Wafers LNOI de comunicação óptica de alto desempenho,Wafers LNOI compactos |
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Descrição de produto
4 polegadas e meia- Um centímetro.Wafers LNOI A escolha perfeita para comunicação óptica compacta e de alto desempenho
- Não.Revolucionar a fotônica com wafers LNOI de ultra baixa perda- Não.
- Não.Plataforma de niobato de lítio em isolador de próxima geração (LNOI)- Não.
Desbloqueia desempenho sem precedentes em fotônica integrada com as nossas placas LNOI de ponta, projetadas para perdas ópticas ultra-baixas e rugosidade sub-nanométrica.Combinação de filmes finos estequiométricos de LiNbO3 com camadas enterradas de SiO2 oxidado termicamenteAs nossas bolachas entregam.> 30 vezes maior eficiência não linearA produção de produtos de alta qualidade é mais eficaz do que os cristais a granel convencionais, permitindo ao mesmo tempo uma fabricação compatível com CMOS.
Principais vantagens
✓ Desempenho EO inovador: alcançar >100 GHz largura de banda de modulação com r33 >30 pm/V, ideal para transceptores coerentes 800G/1.6T.
✓ Precisão Quantum-Ready: Poling periódico personalizado (PPLN) com erro de domínio < 5 nm para geração de fótons emaranhados.
✓ Projeto resistente à energia: resistente a > 10 MW/cm2 de intensidade óptica (certificado Telcordia GR-468).
Aplicações
▷ Moduladores EO ultracompactos 5G/6G
▷ Circuitos fotónicos topológicos e computação óptica
▷ Conversores de frequência quântica (banda C/L para banda de telecomunicações)
▷ Fotodetectores LiDAR de alta sensibilidade
Especificações técnicas
• Tamanho da bolacha: 100/150 mm de diâmetro (2" a 6" personalizáveis)
• Camada LiNbO3: X-cut/Z-cut, espessura 300±5 nm (padrão)
• Óxido enterrado: 1-3 μm SiO2, tensão de ruptura > 200 V/μm
• Substrato: Si de alta resistividade (> 5 kΩ·cm)
| Wafer LNOI | |||
| Estrutura | LN / SiO2- Sim. | LTV / PLTV | < 1,5 μm (5- Não.5 mm2) / 95% |
| Diâmetro | Φ100 ± 0,2 mm | Exclusão de borda | 5 mm |
| Espessura | 500 ± 20 μm | Incline-se. | Dentro de 50 μm |
| Duração plana primária | 47.5 ± 2 mm 57.5 ± 2 mm |
Recorte de bordas | 2 ± 0,5 mm |
| Orifícios de obturação | Tipo R | Ambiente | Rohs 2.0 |
| Camada LN superior | |||
| Espessura média | 400/600±10 nm | Uniformidade | < 40 nm @ 17 pontos |
| Índice de refração | não > 2.2800, ne < 2,2100 @ 633 nm | Orientação | Eixo X ± 0,3° |
| Grau | Óptica | Superfície Ra | < 0,5 nm |
| Defeitos | > 1 mm Nenhum; - Não.1 mm Dentro de 300 no total |
Delaminação | Nenhum |
| Escarrapar | > 1 cm Nenhum; - Não.1 cm Dentro de 3 |
Flat primário | Perpendicular ao eixo + Y ± 1° |
| Isolamento SiO2Camada | |||
| Espessura média | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | Uniformidade | < ± 1% @17 pontos |
| Método Fab. | Óxido térmico | Índice de refração | 1.45-1.47 @ 633 nm |
| Substrato | |||
| Materiais | Sim | Orientação | < 100> ± 1° |
| Orientação plana primária | < 110> ± 1° | Resistividade | > 10 kΩ·cm |
| Contaminação por trás | Sem mancha visível | Para trás | Gravação |
