Substrato de Wafer Piezoelétrico LiNbO3 128Y Corte com Orientação Entalhe Plano

Substrato de Wafer Piezoelétrico LiNbO3 128Y Corte com Orientação Entalhe Plano

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: BonTek
Certificação: ISO:9001
Número do modelo: Nióbito do lítio (LiNbO3)

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 5 peças
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: A gaveta/frasco, pôs em uma caixa com espuma do PE.
Tempo de entrega: 1-4 semanas
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Habilidade da fonte: 10000 partes/mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Cristal: Nióbito do lítio Tamanho: 3'', 4'', 6'', 8''
Categoria ótica: X-corte, Z-corte Categoria da SERRA: Y, Z, 64Y, 128Y, 41Y
Espessura: 0,25 mm - 3 mm Superfície: Polonês, Lap, Etch
Inscrição: SERRA, BAW, FBAR, semicondutor, ótico Polarização: Sim
Destacar:

Wafer LiNbO3 Piezoelétrico

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Wafer LiNbO3 Corte 128Y

,

Substrato LiNbO3 Plano

Descrição de produto

Substrato Piezoelétrico LiNbO3 128Y Corte com Orientação Plana ou Entalhe

O niobato de lítio (LiNbO3) é um cristal transparente incolor.Pertence ao sistema tripartido, o ponto de fusão é 1253°C, a densidade é 4,64 g/cm3, a dureza Mohs é 5, índice de refração não=2,286 ne=2,203 a 632,8 nm.É um cristal ferroelétrico, ponto Curie 1150°C.Com carbonato de lítio e pentóxido de nióbio como matérias-primas, o cristal é cultivado em um cadinho de platina pelo método de elevação.LiNbO3 é um tipo de material com piezoelétrico, ferroelétrico, eletro-óptico, óptica não linear, termoeletricidade e outras propriedades.Também pode ser usado como material de meio de gravação holográfico.

 

 

Características do material

Material Grau óptico LiNbO3 LiNbO3 grau SAW
Orientação Corte X / Corte Z Corte Y41° / Corte Y64° / Corte Y128° / Corte Y
Curie Temp 1142°C±3°C
Dopado com Er, MgO simples ou duplo dopado disponível
Domínio único Polarização Concluída / Reduzida

 

Capacidade de processamento

Acabamento de superfície Polimento lateral simples ou duplo (DSL/SSP/DSP disponível)
Espessura 0,18/0,25/0,35/0,50/1,00 mm 0,25/0,35/0,50/1,00 mm
TTV < 1~5µm
ARCO ± (25µm ~40um)
Urdidura <= 35µm
LTV (5mmx5mm) <1,5 um
PLTV(<0,5um) ≥98% (5mm*5mm) com borda de 2mm excluída
apartamentos de orientação disponível, por solicitação
Lado polido Ra Rugosidade Ra<=5A
Critérios do Verso Rugosidade Ra:0,5-1,0 µm GC#1000
Arredondamento de arestas Compatível com o padrão SEMI M1.2/consulte IEC62276
Rachaduras, marcas de serra, manchas Nenhum

 

Substrato de Wafer Piezoelétrico LiNbO3 128Y Corte com Orientação Entalhe Plano 0Substrato de Wafer Piezoelétrico LiNbO3 128Y Corte com Orientação Entalhe Plano 1

 

Substrato de Wafer Piezoelétrico LiNbO3 128Y Corte com Orientação Entalhe Plano 2

 

Verificação de aceitação

Substrato de Wafer Piezoelétrico LiNbO3 128Y Corte com Orientação Entalhe Plano 3

1. O produto é frágil.Nós o embalamos adequadamente e o rotulamos como frágil.Entregamos através de excelentes empresas de entrega expressa nacional e internacional para garantir a qualidade do transporte.

 

2. Depois de receber a mercadoria, manuseie com cuidado e verifique se a caixa externa está em boas condições.Abra cuidadosamente a caixa externa e verifique se as caixas da embalagem estão alinhadas.Tire uma foto antes de tirá-los.

 

3. Abra a embalagem a vácuo em uma sala limpa quando os produtos forem aplicados.

 

4. Se os produtos forem encontrados danificados durante o envio, tire uma foto ou grave um vídeo imediatamente.NÃO retire os produtos danificados da caixa de embalagem!Entre em contato conosco imediatamente e resolveremos bem o problema.

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