C-plano 1102 do R-plano 0001 Sapphire Wafer For IR e aplicações UV do comprimento de onda
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | CHINA |
Marca: | BonTek |
Certificação: | ISO:9001 |
Número do modelo: | Safira (Al2O3) |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 5 partes |
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Preço: | Negociável |
Detalhes da embalagem: | Gaveta, frasco, pacote do filme |
Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 10000 partes/mês |
Informação detalhada |
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Material: | Sapphire Wafer | Crescimento: | Método de Kyropoulos |
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Ponto de derretimento: | 2040 graus de C | condutibilidade térmica: | 27,21 com (m x K) em 300 K |
Expansão térmica: | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K | Dureza: | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
Capacidade de calor específico: | 419 j (quilograma x K) | Constante dielétrica: | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
Destacar: | C-plano 0001 Sapphire Wafer,Única safira de cristal de Kyropoulos,R-plano Sapphire Wafer 1102 |
Descrição de produto
C-plano 1102 do R-plano 0001 Sapphire Wafer For IR e aplicações UV do comprimento de onda
O método do crescimento refere o processo por que o lingote de única safira de cristal é produzido. Para a maioria de bolachas da safira este é o método de Kyropoulos (abreviado às KY ou ao Kr). O método de Kyropoulos é uma continuação do método de Czochralski (CZ) que é usado na fabricação de bolachas de silicone. O método do Kr permite a produção de lingotes muito grandes de única safira de cristal que podem então ser processados em bolachas.
Os cortes típicos da safira são o R-plano (1102), o C-plano (0001), o Um-plano (1120), o M-plano (1010) e o N-plano (1123). A orientação afeta as propriedades físicas das bolachas da safira – e em particular como integram e os fósforos da estrutura com outros materiais.
PROPRIEDADES ÓTICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Escala de transmissão |
0,17 a 5,5 mícrons |
R.I. |
1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 mícrons |
Perda de reflexão |
em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
Posicione da absorção |
0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 mícrons |
dN/dT |
13,7 x 10-6 em 5,4 mícrons |
dn/dm = 0 |
1,5 mícrons |
PROPRIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
Densidade |
3,97 g/cm3 |
Ponto de derretimento |
2040 graus de C |
Condutibilidade térmica |
27,21 com (m x K) em 300 K |
Expansão térmica |
5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K |
Dureza |
Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
Capacidade de calor específico |
419 j (quilograma x K) |
Constante dielétrica |
11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
Módulo Young (e) |
335 GPa |
Módulo da tesoura (g) |
148,1 GPa |
Módulo de maioria (K) |
240 GPa |
Coeficientes elásticos |
C11=496C12=164C13=115 |
Limite elástico aparente |
MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada) |
Relação de Poisson |
0,25 |
Orientação |
R-plano, C-plano, Um-plano, M-plano ou uma orientação especificada |
Tolerância da orientação |
± 0.3° |
Diâmetro |
2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outro |
Tolerância do diâmetro |
0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas |
Espessura |
0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou outro; |
Tolerância da espessura |
25μm |
Comprimento liso preliminar |
16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas |
Orientação lisa preliminar |
± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0); ± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2° |
TTV |
≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
CURVA |
≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
Front Surface |
Epi-lustrado (Ra< 0=""> |
Superfície traseira |
Terra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-lustrado |
Empacotamento |
Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100 |
Verificação de aceitação
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