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C-linha central de 4inch 0.5mm Sapphire Crystal Wafer Single Crystal Epi-pronta
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | CHINA |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001 |
| Número do modelo: | Safira (Al2O3) |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 partes |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | Gaveta, frasco, pacote do filme |
| Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 10000 partes/mês |
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Informação detalhada |
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| Material: | Sapphire Wafer | Tipo: | Único cristal |
|---|---|---|---|
| Cor: | Branco/vermelho/azul | Método do crescimento: | Cristalização horizontalmente dirigida (HDC) |
| Superfície: | Lado dobro polonês | Escala do VIS: | 85% |
| Aplicação: | Bolacha de Semicondutor, microplaqueta conduzida, janela de vidro ótica, cerâmica eletrônica | Indústria: | Vidro conduzido, ótico, bolacha eli-pronta |
| Destacar: | bolacha de cristal 4inch de safira,Única bolacha de cristal de HDC,bolacha de cristal 0.5mm de safira |
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Descrição de produto
C-linha central crescida cristalização horizontalmente dirigida de Sapphire Wafer 4inch 0.5mm Epi-pronta
A única safira de cristal Al2O3 possui uma combinação original de propriedades óticas, físicas e químicas excelentes. A mais dura dos cristais do óxido, safira Al2O3 retém seu de grande resistência em altas temperaturas, tem boas propriedades térmicas e a transparência excelente. O sistema ótico de Sapphire Al 2O3 é quimicamente resistente a muitos ácidos e alcaloides em temperaturas até 1000 graus de C assim como ao HF abaixo de 300 graus de C. Estas propriedades incentivam seu uso largo do sistema ótico de Sapphire Al 2O3 nos ambientes hostis onde a transmissão ótica na escala do visível ao infravermelho próximo é exigida.
Agora a maioria dos cristais está crescendo do derretimento líquido. As substâncias as mais apropriadas a crescer de cristal de um derretimento têm que derreter sem decomposição, não têm nenhuma transição polimorfo e são caracterizadas pela baixa atividade química. O processo da cristalização de um derretimento é aplicado nos métodos os mais difundidos do crescimento monocrystalline da safira: a saber, o método horizontalmente dirigido da cristalização (HDC) e o método de Stepanov.
PROPRIEDADES ÓTICAS
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Transmissão |
0,17 a 5,5 um |
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R.I. |
1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 um |
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Perda de reflexão |
em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
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Índice da absorção |
0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 um |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 em 5,4 um |
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dn/dm = 0 |
1,5 um |
PROPRIEDADES FÍSICAS
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Densidade |
3,97 g/cm3 |
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Ponto de derretimento |
2040 graus de C |
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Condutibilidade térmica |
27,21 com (m x K) em 300 K |
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Expansão térmica |
5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K |
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Dureza |
Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
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Capacidade de calor específico |
419 j (quilograma x K) |
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Constante dielétrica |
11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
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Módulo Young (e) |
335 GPa |
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Módulo da tesoura (g) |
148,1 GPa |
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Módulo de maioria (K) |
240 GPa |
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Coeficientes elásticos |
C11=496C12=164C13=115 |
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Limite elástico aparente |
MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada) |
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Relação de Poisson |
0,25 |
Verificação de aceitação
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