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M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | CHINA |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001 |
| Número do modelo: | Safira (Al2O3) |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 partes |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | Gaveta, frasco, pacote do filme |
| Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 10000 partes/mês |
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Informação detalhada |
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| Material: | Sapphire Wafer | Tipo: | Único cristal |
|---|---|---|---|
| Cor: | Branco/vermelho/azul | Método do crescimento: | Cristalização horizontalmente dirigida (HDC) |
| Superfície: | Lado dobro polonês | Escala do VIS: | 85% |
| Aplicação: | Bolacha de Semicondutor, microplaqueta conduzida, janela de vidro ótica, cerâmica eletrônica | Indústria: | Vidro conduzido, ótico, bolacha eli-pronta |
| Destacar: | Sapphire Wafer de Stepanov,HDC bolacha de 3 polegadas,Sapphire Wafer 2Inch |
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Descrição de produto
M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov
O método de Stepanov é usado para o crescimento dos detalhes da safira do monocristal de várias configurações, incluindo as hastes da safira, as tubulações e as fitas.
O método da cristalização horizontalmente dirigida é amplamente utilizado na síntese de grandes monocristal da safira. Os elementos da cristalização dirigida e do derretimento zonal são combinados com sucesso no Gorizontally dirigiram o método da cristalização (HDC). O cristal cresce no movimento lento da zona derretida local ao longo do recipiente com a carga de fornalha, tendo um formulário do barco. O método dirigido horizontal da cristalização fornece a recepção da safira monocrystalline a dispersão pequena dos tamanhos do seção transversal e reserva-a crescer acima o monocristal da safira de toda a orientação crystallographic sob a forma das placas dos tamanhos recorde inatingíveis no uso de outros métodos do crescimento.
PROPRIEDADES ÓTICAS
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Transmissão |
0,17 a 5,5 um |
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R.I. |
1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 um |
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Perda de reflexão |
em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
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Índice da absorção |
0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 um |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 em 5,4 um |
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dn/dm = 0 |
1,5 um |
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Orientação |
R-plano, C-plano, Um-plano, M-plano ou uma orientação especificada |
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Tolerância da orientação |
± 0.3° |
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Diâmetro |
2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outro |
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Tolerância do diâmetro |
0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas |
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Espessura |
0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou outro; |
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Tolerância da espessura |
25μm |
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Comprimento liso preliminar |
16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas |
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Orientação lisa preliminar |
± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0); ± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2° |
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TTV |
≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
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CURVA |
≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas |
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Front Surface |
Epi-lustrado (Ra< 0=""> |
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Superfície traseira |
Terra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-lustrado |
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Empacotamento |
Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100 |
Verificação de aceitação
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