• M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov
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M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov

M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov

Detalhes do produto:

Lugar de origem: CHINA
Marca: BonTek
Certificação: ISO:9001
Número do modelo: Safira (Al2O3)

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 5 partes
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Gaveta, frasco, pacote do filme
Tempo de entrega: 1-4 semanas
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000 partes/mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Sapphire Wafer Método do crescimento: Cristalização horizontalmente dirigida (HDC)
Vantagem: Hardness9.0, desgaste - resistente Cor: Branco/vermelho/azul
Plano preliminar: 16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50 Orientação lisa: ± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0); ± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2°
Aplicação: Bolacha de Semicondutor, microplaqueta conduzida, janela de vidro ótica, cerâmica eletrônica Indústria: Vidro conduzido, ótico, bolacha eli-pronta
Destacar:

Bolacha de cristal de safira Hardness9.0

,

bolacha de semicondutor 2Inch

,

bolacha de cristal 6inch de safira

Descrição de produto

M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov

A aplicação principal da safira ótica é grandes janelas da abertura, viewports, iluminadores para os sistemas óticos da comum-abertura (visible+IR) o que fazem safira o material real superior devido a suas propriedades óticas e mecânicas.

Os produtos da safira são usados em muitos campos como detalhes óticos (janelas, placas, guias claros e lentes, especialmente placas plano-paralelas da safira - janelas, carcaças de alta temperatura óticas, detalhes exatos dos mecânicos, bulbos das lâmpadas de alta pressão e assim por diante.

M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov 0M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov 1M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov 2

Corte da orientação

R-plano, C-plano, Um-plano, M-plano ou uma orientação especificada

Tolerância da orientação

± 0.3°

Diâmetro/tamanho

2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outro

Tolerância do diâmetro

± 0.2mm

Espessura

0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou outro;

Tolerância da espessura

± 25μm

Comprimento liso preliminar

16.0±1.0mm para 2 polegadas,

22.0±1.0mm para 3 polegadas,

30.0±1.5mm para 4 polegadas,

47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas

Orientação lisa preliminar

± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0);

± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2°

TTV

≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas

CURVA

≤10µm para 2 polegadas, ≤15µm para 3 polegadas, ≤20µm para 4 polegadas, ≤25µm para 6 polegadas

Front Surface

Epi-lustrado (Ra< 0="">

Superfície traseira

Terra fina (Ra=0.6μm~1.4μm) ou Epi-lustrado

Empacotamento

Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100

M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov 3

Verificação de aceitação

M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov 4

1. O produto é frágil. Nós embalamo-lo adequadamente e etiquetamo-lo frágil. Nós entregamos através das empresas expressas domésticas e internacionais excelentes para assegurar a qualidade do transporte.

2. Após ter recebido os bens, segure por favor com cuidado e para verificar se a caixa exterior esteja nas boas condições. Abra com cuidado a caixa exterior e verifique se as caixas de embalagem sejam em alinhamento. Tome uma imagem antes que você os remova.

3. Abra por favor o pacote do vácuo em um quarto desinfetado quando os produtos devem ser aplicada.

4. Se os produtos são encontrados danificados durante o correio, tome por favor uma imagem ou grave um vídeo imediatamente. Não tome os produtos danificados fora da caixa de empacotamento! Contacte-nos imediatamente e nós resolveremos o problema bem.

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em M-plano crescido método da R-linha central de Sapphire Crystal Wafer 2Inch 3inch 4inch 6inch de Stepanov você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
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