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carcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azul
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | CHINA |
| Marca: | BonTek |
| Certificação: | ISO:9001 |
| Número do modelo: | Safira (Al2O3) |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 partes |
|---|---|
| Preço: | Negociável |
| Detalhes da embalagem: | Gaveta, frasco, pacote do filme |
| Tempo de entrega: | 1-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 10000 partes/mês |
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Informação detalhada |
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| Material: | Sapphire Wafer | Crescimento: | Método de Kyropoulos |
|---|---|---|---|
| Ponto de derretimento: | °C 2040 | condutibilidade térmica: | 27,21 com (m x K) em 300 K |
| Expansão térmica: | 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K | Dureza: | Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
| Capacidade de calor específico: | 419 j (quilograma x K) | Constante dielétrica: | 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
| Destacar: | C-plano 0001 Sapphire Wafer,Carcaça infravermelha do diodo emissor de luz Al2O3 da janela,Laser azul Sapphire Wafer |
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Descrição de produto
carcaça de Sapphire Wafer Al 2O3 do C-plano 0001 para o diodo emissor de luz infravermelho da janela e o laser azul
Al2O3 que único de cristal (safira, igualmente conhecida como as pedras, a safira brancas) tem boas propriedades térmicas, características elétricas e propriedades dielétricas, e anti-chemicalcorrosion excelentes, ele é condutibilidade de alta temperatura, térmica, dureza alta, bom transparente, quimicamente estável infravermelho. Amplamente utilizado na carcaça epitaxial infravermelha de alta temperatura do filme dos materiais da janela e do nitreto de III-V e uma variedade de nos materiais para encontrar as necessidades o azul crescente, o diodo luminescente roxo, branco (diodo emissor de luz) e do laser do azul (LD), BonTek que especializa-se na produção do cristal de safira lustrado de alta qualidade e de carcaças epitaxial fornecê-lo-ão muita carcaça monocrystalline de alta qualidade e do preço baixo.
| PROPRIEDADES ÓTICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
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Escala de transmissão |
0,17 a 5,5 mícrons |
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R.I. |
1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 mícrons |
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Perda de reflexão |
em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2% |
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Posicione da absorção |
0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 mícrons |
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dN/dT |
13,7 x 10-6 em 5,4 mícrons |
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dn/dm = 0 |
1,5 mícrons |
| PROPRIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3 | |
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Densidade |
3,97 g/cm3 |
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Ponto de derretimento |
2040 graus de C |
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Condutibilidade térmica |
27,21 com (m x K) em 300 K |
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Expansão térmica |
5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K |
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Dureza |
Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g |
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Capacidade de calor específico |
419 j (quilograma x K) |
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Constante dielétrica |
11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz |
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Módulo Young (e) |
335 GPa |
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Módulo da tesoura (g) |
148,1 GPa |
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Módulo de maioria (K) |
240 GPa |
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Coeficientes elásticos |
C11=496C12=164C13=115 |
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Limite elástico aparente |
MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada) |
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Relação de Poisson |
0,25 |
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Orientação |
R-plano, C-plano, Um-plano, M-plano ou uma orientação especificada |
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Tolerância da orientação |
± 0.3° |
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Diâmetro |
2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outro |
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Tolerância do diâmetro |
0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas |
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Espessura |
0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm ou outro; |
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Tolerância da espessura |
25μm |
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Comprimento liso preliminar |
16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas |
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Orientação lisa preliminar |
± 0.2° do Um-plano (1 1-2 0); ± 0.2° do C-plano (0 0-0 1), C-linha central projetada 45 +/- 2° |
Verificação de aceitação
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3. Abra por favor o pacote do vácuo em um quarto desinfetado quando os produtos devem ser aplicada.
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