Substrato de Wafer de Safira Al2O3 para LED e Laser Azul de Janela Infrarroja de Alta Temperatura

Substrato de Wafer de Safira Al2O3 para LED e Laser Azul de Janela Infrarroja de Alta Temperatura

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: CSIMC
Certificação: ISO:9001
Número do modelo: Safira (Al2O3)

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 5 peças
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: Gaveta, frasco, pacote do filme
Tempo de entrega: 1 a 4 semanas
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 10000 peças/mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Materiais: Sapphire Wafer Tipo: Único cristal
Ponto de fusão: °C 2040 Tamanho: Dois centímetros, três centímetros, quatro centímetros.
Superfície: DSP/SSP Dureza: Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g
Capacidade de calor específico: 419 j (quilograma x K) Constante dielétrica: 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz
Destacar:

Substrato de Wafer de zafiro LED Al2O3

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Wafer de safira de alta temperatura

Descrição de produto

Substrato de Wafer de Safira Al2O3 para LED e Laser Azul de Janela Infrarroja de Alta Temperatura

 

a escolha definitiva para aplicações optoeletrônicas, semicondutores e LED de alto desempenho.forma a pedra angular das nossas wafers de última geração., concebido para satisfazer as exigências mais rigorosas do panorama tecnológico actual.

As nossas bolinhas de safira são feitas das melhores matérias-primas, garantindo uma pureza e qualidade cristalina incomparáveis.onde a resistência ao arranhãoEsta resiliência traduz-se numa fiabilidade a longo prazo e em custos de manutenção reduzidos para os utilizadores finais.

Com um acabamento de superfície ultra suave e transparência óptica excepcional, as nossas Wafers Sapphire permitem uma transmissão e reflexo de luz de alta eficiência, crítico para iluminação LED, janelas ópticas,e sistemas a laser de alta potênciaO amplo intervalo de banda do Sapphire também permite uma operação eficiente em ambientes de alta temperatura e alta radiação, tornando-o o substrato perfeito para dispositivos eletrónicos de alto desempenho.

Além disso, as nossas Wafers Sapphire estão disponíveis em vários tamanhos, espessuras e orientações para atender a uma ampla gama de aplicações.Otimizar o desempenho da iluminação LED, ou aumentar a durabilidade dos componentes ópticos, temos a solução que se adapta às suas necessidades.

Apoiados pelo nosso compromisso com a qualidade e a inovação, as nossas Wafers Sapphire passam por testes e inspecções rigorosas para garantir que cumprem os mais altos padrões da indústria.Temos orgulho em fornecer um serviço excepcional ao cliente e suporte técnico, permitindo que os nossos clientes aproveitem todo o potencial da tecnologia Sapphire.

Melhore as suas ofertas de produtos com as nossas Wafers Sapphire premium e experimente os benefícios de desempenho superior, confiabilidade e versatilidade.Contacte-nos hoje para saber mais sobre como as nossas Wafers Sapphire podem transformar o seu negócio e capacitar as suas atividades tecnológicas.

 

Substrato de Wafer de Safira Al2O3 para LED e Laser Azul de Janela Infrarroja de Alta Temperatura 0Substrato de Wafer de Safira Al2O3 para LED e Laser Azul de Janela Infrarroja de Alta Temperatura 1Substrato de Wafer de Safira Al2O3 para LED e Laser Azul de Janela Infrarroja de Alta Temperatura 2

 

PROPRIETADES ÓPTICAS do SAFIRO Al2O3

Faixa de transmissão

0.17 a 5,5 micrões

Índice de refração

1.75449 (o) 1.74663 (e) a 1,06 microns

Perda de reflexão

a 1,06 micrões (2 superfícies) para raios-o - 11,7%; para raios-e - 14,2%

Índice de Absorção

0.3 x 10-3 cm-1 a 2,4 microns

DN/dT

13.7 x 10-6 a 5,4 microns

dn/dm = 0

1.5 micrões

 

PROPRIETADES FÍSICAS do SAFIRO Al2O3

Densidade

30,97 g/cm3

Ponto de fusão

2040 graus C

Conductividade térmica

27.21 W/ ((m x K) a 300 K

Expansão térmica

5.6 x 10-6/K (eixo C paralelo) e 5,0 (eixo C perpendicular) x 10-6/K

Dureza

Knoop 2000 kg/mm2com um retorno de 2000 g

Capacidade térmica específica

419 J/kg x K)

Constante dielétrica

11.5 (eixo C paralelo) 9.4 (eixo C perpendicular) a 1 MHz

Modulo de Young (E)

335 GPa

Modulo de cisalhamento (G)

148.1 GPa

Módulo de massa (K)

240 GPa

Coeficientes elásticos

C11= 496 C12=164 C13= 115
C33= 498 C44=148

Limite de elasticidade aparente

275 MPa (40.000 psi)

Relação de peixe

0.25

 

Orientação

Plano R, plano C, plano A, plano M ou uma orientação especificada

Orientação Tolerância

± 0,3°

Diâmetro

2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou outros

Tolerância de diâmetro

0.1mm para 2 polegadas, 0.2mm para 3 polegadas, 0.3mm para 4 polegadas, 0.5mm para 6 polegadas

Espessura

0.25 mm, 0,33 mm, 0,43 mm, 0,65 mm, 1 mm ou outros;

Tolerância de espessura

25 μm

Duração plana primária

16.0±1.0mm para 2 polegadas, 22.0±1.0mm para 3 polegadas, 30.0±1.5mm para 4 polegadas, 47.5/50.0±2.0mm para 6 polegadas

Orientação plana primária

Plano A (1 1-2 0) ± 0,2°; plano C (0 0-0 1 ) ± 0,2°, eixo C projetado 45 +/- 2°

 

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Verificação da aceitação

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1O produto é frágil. Nós o embalamos adequadamente e o rotulámos como frágil. Nós entregamos através de excelentes empresas expressas nacionais e internacionais para garantir a qualidade do transporte.

 

2Após receber as mercadorias, por favor, manuseie com cuidado e verifique se a embalagem exterior está em boas condições.Tire uma foto antes de tirá-los..

 

3Abra a embalagem de vácuo numa sala limpa quando os produtos forem aplicados.

 

4Se os produtos forem encontrados danificados durante o transporte, por favor tire uma foto ou gravação de vídeo imediatamente.Contacte-nos imediatamente e vamos resolver o problema bem.

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