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China Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd. Mapa do Site
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Wafer Piezoelétrico
Pastilha Piezoelétrica 5% Molar Niobato de Lítio LiNbO3 Dopado a 5% Molar para Aplicações em Fotônica e Telecomunicações
TLDs de próxima geração que combinam materiais termoluminescentes avançados e tecnologia de wafer piezoelétrico
Wafer piezoelétrico Niobato de lítio LiNbO3 Especificações de diâmetro personalizáveis e opções de dopagem para inovações fotônicas de próxima geração
Wafer piezoelétrico personalizável com AT BT ou SC Cut Quartz Crystal para operação em ambientes adversos e sistemas de satélite
Bolacha LiNbO3
Y64 cortou o polonês lateral da bolacha de 4 cristais uma da polegada LiNbO3
Z X cortou cristais que da bolacha LiNbO3 a categoria ótica toma partido polonês
X Ferroelectric cortou o polonês dobro do lado da bolacha LiNbO3 para dispositivos da SERRA
A bolacha LiNbO3 128Y reduzida livre de Pyroelectric cortou a categoria da SERRA
Bolacha LiTaO3
100um LiTaO3 a bolacha ultra fina grossa Z cortou para aplicações de Pyroelectric
LiTaO3 a bolacha de cristal ultra fina Z cortou para o detector infravermelho de Pyroelectric
Único Crystal Quartz Wafer
3 polegadas bolachas de quartzo de uma ótica eletrónica de 4 polegadas com orientação personalizada
O lado dobro lustrou único Crystal Quartz Wafers 6 polegadas
X / Y cortou único Crystal Quartz Ring For Pressure que detecta a tesoura da espessura
Anel cristal único cristal de quartzo IEEE lado duplo cristal de quartzo piezo
Bolacha do silicone fundido
Wafer de vidro de silício de 1,0 nm de lado polido personalizado para MEMS
Wafer de sílica fundida de precisão TTV 20μm PLTV≥95% Diâmetro 50,8mm para desempenho ideal
Wafer de sílica fundida de superfície SSP para processo de fabricação MEMS
LTV 5mmx5mm 2μm Wafer de sílica fundida TTV 20μm para indústria de semicondutores
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